What's New
วันพุธที่ 12 พฤศจิกายน พ.ศ. 2557
[Technology] Apple อาจเปลี่ยนหน่วยความจำของ iPhone 6 เป็นแบบเดิมหลังเกิดปัญหา Bootloop
มีผู้ใช้มากมายพบปัญหา Bootloop ในเครื่อง iPhone 6 และ iPhone 6 Plus ซึ่งทาง Apple และนักพัฒนาซอฟแวร์ระบุว่า น่าจะเกิดจากปัญหา Flash Memory ตัวใหม่ที่เป็นแบบ TLC NAND Flash (Triple-Level Cell) ซึ่งแบบเก่านั้นเป็นแบบ MLC NAND Flash (Multi-Level Cell)
ในตอนแรกที่ Apple ตัดสินใจใช้แบบ TLC NAND Flash เพราะว่า สามารถเก็บข้อมูลได้ 3 บิทต่อ 1 เซลล์ จึงมีความคุ้มค่ากว่าแบบเก่าที่เก็บข้อมูลได้เพียง 2 บิทต่อ 1 เซลล์เท่านั้น
Credit : MacRumors
Translate : Zkynlyn
สมัครสมาชิก:
ส่งความคิดเห็น (Atom)

ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น